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半导体晶体生长系列
· 氮化镓晶体生长室（高温高压钠流法）
用途：主要用于碳/碳复合材料、碳/碳-碳/陶复合材料的高温石墨化、高温提纯处理。
优势与特点：
最高 温度可达到3000℃。
新型加热室结构，加热更均匀，损耗功率小，更节能。
进口红外测温仪，测温准确，误差小。
可选项：
炉体形式：立式，卧式
加热方式：电阻加热；感应加热
真空泵组：进口；国内优质品牌
目前该设备已形成系列化产品，不在系列范围内的可根据客户要求定制。
