据报道，日本真空厂商的销售额中２／３是面向电子工业，其中有一半是面向集成电路。在近代集成电路制造的工艺中，有一半工序是在真空环境下进行的，而当今的超大规模集成电路大约有３／４的工序需要有真空条件。

　　超大规模集成电路关键技术之一就是微细加工技术，其几何图形结构的形成是用了电子束曝光、Ｘ射线曝光、远紫外线曝光和粒子束曝光等技术，为了得到亚微米线宽，必须采用干法刻蚀技术，包括粒子束刻蚀、等离子刻蚀、反应粒子刻蚀及反应等离子刻蚀。超薄层生长技术则包括蒸发、溅射、化学气相沉积（ＣＶＤ），等离子体ＣＶＤ、有机金属ＣＶＤ、分子束外延等。为了精确地控制掺杂，这里又用到了粒子束注入技术。上述这些工艺装置一般具有两个特点：一是装置的自动化程度高；二是需要有高质量的真空环境。至于检测和诊断方面所用到的高能电子衍射和低能电子衍射、间歇电子能谱仪、二次离子谱仪也都要求在清洁的超高真空环境下工作。